第268章 10纳米技术(第2页)

 “小盛，这段时间在干嘛呢，怎么都见到你去我家了。”

 “书记，我去了趟港岛办点事，刚回来呢。”

 “嗯，年轻人还是要以事业为重，不过有空了就要来家里坐坐，带带思言，让她和你多学习学习。”

 李有力这话，怎么有点不一样的味道，难道是让自己跟李思言亲近，做上门女婿了？何盛也没法拒绝李有力的好意，只能回答道。

 “好的，过两天我就来。”

 “嗯，到时候我让吴妈给你准备点特色菜，有什么爱吃的提前和我说啊。”

 两人在会议室里完全就聊家常，压根不提什么别的工作啊，事业之类的事，简直就像翁婿之间的寒暄。

 没一会，赵院士手里捧着一台笔记本电脑和一盒子东西走来。

 他激动的把样品递给了李有力，向李有力介绍道。

 “书记，这就是我们实验室做出来的样品，这是10纳米的工艺，我们的光刻机基本可以做到了，我试了一些，良品率很高，起码能有八成以上。”

 其实所谓的这个7纳米、10纳米、14纳米、22纳米或者28纳米，它不是指的造出来的额芯片大小，也不是晶体管的大小，它是一个晶体管里的沟道的宽度。

 芯片中的沟道宽度是指集成电路中两个相邻金属线之间的距离，沟道宽度决定了电子在集成电路中的传输速度和性能，是衡量半导体制程技术的重要指标之一。

 更小的纳米制程，意味着在同样更小的芯片中，能塞下更多的晶体管。

 比如14纳米的工艺，则在每1平方毫米里，可以塞下约3000万个晶体管；而10纳米的工艺，根据全球最顶尖的芯片制造商二特硬公布，他们的工艺在每1平方毫米里，可以塞下约1亿个晶体管。

 想要做到能塞得下这么多晶体管，那就要靠光。

 duv得名字是深紫外光，euv的名字是极紫外光。波长越短的光，就能蚀刻出越微小的距离。

 我们国家之前在研制的主要就是duv，能用duv把制造水平提高到了22纳米，这已经是极限了，再提升下去，euv的光刻设备要比duv省时省力省材料很多很多，继续使用duv只会事倍功半。