第263章 工艺最高达到了45nm(第2页)

　　光刻过程中，需要人工的地方很少。

　　在此之前，在旋涂机中已经旋涂了光刻胶，软烘后就等着光刻曝光了。

　　激光通过激发，透过光罩，将上面的图形照射后进入了物镜，而后投射在了晶圆上面的光刻胶上。

　　因为还是整机初步测试，江成并没有把浸没系统加上。

　　光刻胶对深紫外线光非常敏感，照射后产生光分解反应，形成“沟壑”，而后通过显影、烘干等操作，就可以进行刻蚀了。

　　试验的是一个简单的测试电路图形，在控制系统下，双工件台快速而又轻微的移动着，一块一块的曝光。

　　一张12寸的晶圆，根据芯片die的尺寸不同，能够光刻不同数量的芯片。

　　就如现在试验的，可以切出将近200枚。

　　很快，在光罩上的图案光刻好了。

　　试验人员取出晶圆，进行显影、烘干、刻蚀。

　　期间还需要用掉不少的超纯水，用这些水，把晶圆上的杂质给清洗干净。

　　有些无聊的光刻流程，但又是真的非常的神奇。

　　通过光刻，将图案刻在了晶圆上，几十纳米线宽，不通过显微镜，根本看不到。

　　而后再通过操作，让铜等金属在刻蚀的区域外延生长，做成了纳米级的电路。

　　小小的一个芯片中，密密麻麻的布着电路。

　　三个小时后，试验的晶圆好了，在此前每个步骤都有人员测试参数，这会儿更是开始了详细测试和验证。

　　“……工艺最高达到了45nm！”虽然是蒙着嘴，但连广浩看着这检测仪器上的参数，兴奋的跳了起来！

　　这还是干式光刻呢，如果通过浸没式的光刻呢，是不是能够突破28nm了？

　　甚至通过多次曝光，达到更高的工艺？！

　　连广浩这一句话，让场上的人顿时欢呼了起来！

　　“真的吗？我们居然成功了？！”

　　“天啊，咱们搞出来了！”

　　“江董牛逼！”

　　……

　　江成摇头笑笑，这些小伙子，还是太年轻了，他刚也看了（顺带模拟了），发现只是很少部分栅极的最小线宽达到了45nm，而且极不均匀。