第一六五九章 从低端数控系统开始研发(第3页)

浸没式光刻机暂时不会申请公司发明专利。n

134n波长光源的激光器和浸没式光刻系统专利技术会在第一时间卖给gCA使用。n

邓国辉和钱富强从1999年8月开始立项，BseC投资1亿元，带领光刻机光源研究所，静下心来开始研发euv激光器，先后投资了3.6亿元，还在研究之中。n

2002年1月18日，由gCA和悟空天使投资基金带头，分别出资5亿美元和2亿美元，加上inteL、iBm、ti、Amd、摩托罗拉、Cyr、hp、台积电和三星等25家公司，共同出资50亿美元成立的gCAeuv光刻机股份有限责任公司研制的euv激光器已经临近尾声。n

由于重生者的缘故，65n制程工艺的浸没式光刻机提前研制成功，euv光刻机也会提前研制成功。n

2002年8月，参加7月2日在布鲁塞尔举行的157n微影技术的研讨会后，AsmL董事长兼总裁普拉多同台积电的林本坚博士合作，采用“浸润原理”，投入巨资，开始研制浸没式光刻机。n

邓国辉院士在研讨会上支持林本坚博士提出的“浸润原理”，并表示京城光刻机研究院光源研究所正在研究“浸润原理”，这三年，邓国辉和钱富强等先后在《sceAdvances》上，发表7篇研究浸没式光源系统和浸没式光刻机技术的科研论文，在光刻机行业引起轰动。n

半导体专家预测，二年内，浸没式光刻机将被研制成功。n

intel对Core2duo，Amd对Athlonx2的研制开始加速。