第11章 集成电路篇

 集成电路（ied circuit，简称ic）的发展历史可以追溯到20世纪中叶。以下是其发展的主要历程和趋势：

 早期发展阶段1.1947年贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿发明了晶体管，这是微电子技术发展中的第一个里程碑。

 1950年结型晶体管诞生。

 1951年场效应晶体管发明。

 1956年c.s. fuller发明了扩散工艺。

 1958年仙童公司的罗伯特·诺伊斯和德州仪器的杰克·基尔比分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史。

 技术进步1960年h.h. loor和e. castellani发明了光刻工艺。

 1962年美国rca公司研制出mos场效应晶体管。

 1963年f.m. wanlass和c.t. sah首次提出cmos技术，今天95%以上的集成电路芯片都是基于cmos工艺。

 1964年英特尔的摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加一倍。

 1966年美国rca公司研制出cmos集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）。

 1967年应用材料公司（applied materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司。

 大规模集成电路时代1971年英特尔推出1kb动态随机存储器（dram），标志着大规模集成电路出现。

 1971年全球第一个微处理器4004由英特尔公司推出，采用的是mos工艺，这是一个里程碑式的发明。

 1974年rca公司推出第一个cmos微处理器1802。

 1976年16kb dram和4kb sram问世。

 1978年64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（vlsi）时代的来临。

 个人电脑时代1.1979年英特尔推出5mhz 8088微处理器，之后，ibm基于8088推出全球第一台pc。

 1981年256kb dram和64kb cmos sram问世。

 1984年日本宣布推出1mb dram和256kb sram。

 1985年微处理器问世，20mhz。

 1988年16m dram问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（vlsi）阶段。

 现代发展1989年1mb dram进入市场。

 1989年486微处理器推出，25mhz，1um工艺，后来50mhz芯片采用0.8um工艺。

 1992年64m位随机存储器问世。

 1993年66mhz奔腾处理器推出，采用0.6um工艺。

 1995年pentium pro，133mhz，采用0.6-0.35um工艺。

 1997年300mhz奔腾2问世，采用0.25um工艺。

 1999年奔腾3问世，450mhz，采用0.25um工艺，后采用0.18um工艺。

 2000年1gb ram投放市场。

 2000年奔腾4问世，1.5ghz，采用0.18um工艺。

 2001年英特尔宣布2001年下半年采用0.13um工艺。

 2003年奔腾4 e系列推出，采用90nm工艺。

 2005年英特尔酷睿2系列上市，采用65nm工艺。

 2007年基于全新45纳米high-k工艺的英特尔酷睿2 e7\/e8\/e9上市。

 2009年英特尔酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。